シリコントランジスタ(NPN) ・VCBO:20V ・Ic:100mA ・hFE:50〜300 ・fT:7GHz ・Cre:1PF ・NF:1.1dB typ(VCE=10V、Ic=7mA、f=1GHz) ・PD:600mW
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