PchパワーMOSFET TJ11A10M3

東芝のU-MOS VIシリーズ、低オン抵抗、低ゲート電源電圧、高アバランシェエネルギーを実現。Vthが低く(4Vでは完全にON)ロジック駆動に適しています。

・構造：MOSFET、回路数：1、チャネル：P
・ドレイン・ソース間電圧：-100V
・ゲート・ソース間電圧：±20V
・ドレイン電流(DC)：11A
・ドレイン・ソース間オン抵抗：100mΩ
・許容損失(25℃)：24W

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